Abstract
本研究以原子層化學氣相沉積法(ALD)鍍製高介電薄膜氧化鋁(Al2O3),並利用簡單製程，在氧化鋁鈍化層上鍍上金屬製作電容，並比較退火前後差異，量測氧化鋁層內的固定電荷變化，探討氧化鋁表面鈍化層的好壞。 在矽基板上鍍製氧化鋁鈍化層，並進行退火、共燒結、氮氫混合氣體退火(FGA)三階段實驗。實驗過程中，利用微波光電導衰退法(MWPCD)量測在矽基板上鍍製氧化鋁鈍化層的有效載子週期，並利用傅氏紅外光譜(FTIR)量測氧化鋁鈍化層表面原子鍵結結構變化，觀察鈍化層固定電荷對矽基板所造成的場效應影響。 利用原子層化學氣相沉積法沉積氧化鋁運用在金屬輔助蝕刻(MAE)漸變式欄柵結構矽晶太陽能電池(MGSC)上，並比較不同的退火參數和不同表面鈍化方式對電池的效率提升。