Abstract
本論文共分兩部份：第一部份主要探討Sb O 及TiO 組成成分對I-V 特性、C-V 特性及劣化性質的影響，并以SEM、EPMA 及XRD 進一步觀察與分析微結構及相組成，探討巨觀特性變化和微觀結構的相互關系。發現，低量Sb O 時添加TiO 促進晶粒成長降低元件崩潰電壓，多量Sb O 時添加TiO 抑制晶粒成長崩潰電壓上升；而Sb, Ti成分的改變影響了尖晶石相析出量的多寡間接決定了晶粒的大小。同時Sb的添加量增加I-V 特性的非線性指數增大相對的C-V 特性，施體濃度明顯度明顯降低。沒有添加TiO時, Sb的添加量增加劣化性質稍微變好；但加入TiO 后，Sb對穩定性質的角色發生改變，隨Sb添加量增加劣化性質明顯變差。在Sb系中，Sb的添加使施體濃度下降間隙鋅離子濃度減少，對穩定性質有利；但陷子濃度的降低卻對穩定性質不利，由分析結果認為Sb-Ti 系中陷子濃度的高低是主導穩定性質的主要因素。第二部份主要探討添加玻璃及熱處理后的變阻器行為，添加玻璃除了改善劣化性質外，對I-V 特性除了非線性參數外其他特性均有影響，添加玻璃后崩潰電壓明顯變大，而且隨玻璃添加量增加而上升；另外，少量玻璃添加漏電流變小，到了多量添加時漏電流又變大。適當熱處理亦可提高穩定性，只是添加玻璃對改善劣化性質要比僅做熱處理來得有效。添加玻璃再施以熱處理則改善劣化性質更為顯著，其中以650 ℃熱處理穩定性最佳，而相對之施體濃度與陷子濃度均最低，其中以施體濃度的變化最為明顯；分析結果認為在添加玻璃系中，施體濃度是主導穩定性質的主要因素。