Abstract
鍺是半導體工業上常用的過渡元素，已經有報導指出大量且長期接觸鍺會導致實驗動物的神經、腎臟以及肌肉等組織的病變。根據先前的研究，氧化鍺 (GeO2) 處理會造成CHO K1以及HeLa細胞週期停滯在G2/M期，由於這兩株細胞的p53狀態分別是突變以及不表現，在本篇研究中，我們希望探討氧化鍺所誘導的G2/M期停滯是否與p53有關連。SW480細胞（p53-）加入氧化鍺處理，會有細胞週期停滯在G2/M期的現象，而RKO細胞（p53+）則不會。在同源僅內生性p53狀態相反的人類纖維母細胞中，HF（p53+）及HFE6（HPV-16 E6感染，p53-）加入5 mM氧化鍺處理28小時後，分佈在G2/M期的細胞HFE6則較 HF為多。於是我們觀察與p53及其下游基因p21是否與GeO2所造成的G2/M block有關。以5 mM氧化鍺處理一小時，會誘導HF細胞p53的RNA表現量增加，但是並不會誘導蛋白質的大量表現。5 mM氧化鍺處理二以及三小時，會誘導p21的RNA表現量增加。我們更進一步將原生型p53或p21透過liposome攜帶，轉殖入CHO K1細胞，再加入氧化鍺處理，觀察細胞週期的進行，結果發現氧化鍺處理已表現原生型p53或p21的CHO K1後，細胞週期仍然停滯在G2期。因此我們推斷p53以及p21在氧化鍺所誘導的G2期停滯應該不是扮演直接傳遞訊息的角色。由於先前的研究發現氧化鍺會增加CHO K1細胞對cis-platin這個化學治療藥物的敏感性，我們也以MTT分析法探討氧化鍺與cis-platin共同處理後，對細胞毒殺性的效用是否受p53的有無而影響。結果顯示在MTT的分析方法下，氧化鍺並不會增加HF以及HFE6細胞對cis-platin 的敏感性，而其對細胞的毒殺性也並未因p53的表現與否而有所差異。