Abstract
目前普遍使用於印刷電路板或是其它封裝的材料，大都為高分子塑膠材料，但是高分子塑膠材料的缺點是其介電損耗值偏高，影響元件訊號的傳播，實驗中期望以介電損耗值較低的陶瓷材料取代高分子塑膠材料成為封裝材料。低溫共燒陶瓷材料中，以玻璃為主要成份，搭配陶瓷作為填充劑來進行實驗，實驗中主要有兩種玻璃：G玻璃（B2O3•MgO•Al2O3•SiO2玻璃）以及K玻璃（B2O3•Al2O3•SiO2玻璃），預期中，G玻璃中鹼土金屬的添加會提高介電損耗值，但實驗結果顯示Mg的添加不僅未大量提升介電損耗值，並且由於鹼土金屬Mg的添加而大大的降低燒結溫度。低溫共燒陶瓷材料中，G玻璃（B2O3•MgO•Al2O3•SiO2玻璃）以及K玻璃（B2O3•Al2O3•SiO2玻璃），兩種玻璃混和搭配使用，不僅未使介電品質因子降低太多（氧化鋁系統純粹只有添加K玻璃的Q*f0值為2879GHz，氧化鋁系統純粹只有添加G玻璃的Q*f0值為2600GHz），還可得到最佳的機械強度（氧化鋁系統搭配45vol%K玻璃以及15vol%G玻璃得到最大的破斷強度值269MPa）。