Abstract
MOS 元件經過照輻射后, 元件的功能明顯地變差, 此因氧化層電荷及界面能態增加的關系, 為了研究改善MOS 元件抗輻射效果, 我們采用氧離子穿透氧化層的布植方法.各有三種氧離子佈植量與佈植能量以及兩種輻射劑量, 四種照輻射時的偏壓等不同條件, 加於N 型基層和P 型基層的MOS 結構.此篇選用三種實驗方法, 包括: 1.高頻電容測量法加上能隙中點電壓位移理論, 2.電導測量法, 3.電子順磁共振測量法.高頻電容測量法得到的曲線可以用能隙中點電壓位移方法的假設來解釋, 而且發現N型試樣經氧子佈植后, 抗輻射效果比未經氧離子佈植的較好, 但P 型試樣則變差了;另外發現照輻射引起的電荷量與輻射劑量成正比關係, 而且隨照輻射時所加偏壓的增加而增加. 但是, 在N 型試樣中, Qox 與Qit 的增量約成正比關係, 在P 型試樣中則此現象較不顯著.電導測量法可得到界面能態密度在能隙中的分布圖, 其分布符合U 型, 範圍在1E12到5E12間, 跟高頻電容測量法的結果相當.電子順磁共振測量法提供我們兩種訊息. 一是化學鍵結狀況, 另一則是此種鍵結相對量的多寡. 實驗結果參考已發表的論文后, 可能有三種測量到的鍵結狀態存在試樣中; 最后, 發表鍵結相對量的多寡與高頻電容測量法得到的界面能能量成一比例關係.