Abstract
摘要本實驗主要探討ITO導電玻璃經氧氣電漿處理後，以AFM、ESCA以及靜態接觸角等量測，研究ITO表面的形貌、元素成分以及表面能的變化。再以旋塗法塗佈PEDOT CH8000、PEDOT AI4083以及PAni薄膜，並利用熱蒸鍍機製備CuPc薄膜去比較ITO/電洞注入層在大氣中的穩定性；氧電漿處理時間對總電阻值的影響，以及藉由遷移長度測量法(TLM)分析各種電洞注入層的片電阻值以及其與ITO接面的特徵接面電阻值的變化。研究結果顯示，隨氧電漿處理時間的加長，ITO的表面粗糙度下降、氧含量上昇、銦與錫的氧化態增加、氧化物與碳的污染下降。此外，氧電漿僅需要2min的時間就能將水滴以及PEDOT CH8000液滴與ITO的接觸角下降到1°以下。四種電洞注入層在大氣中的穩定性，以CuPc為最佳，其次為PEDOT AI4083、PAni，以PEDOT CH8000的穩定性最差。ITO/電洞注入層的總電阻值會隨著氧電漿處理時間的增長而降低，和電洞注入層本身在大氣中的穩定性有關 。ITO/PEDOT AI4083、ITO/PAni、ITO/CuPc為歐姆接面特性，只有ITO/PEDOT CH8000不是歐姆接面。電洞注入層的片電阻值以CuPc(5 ×109 Ω/□)為最大，依次為PEDOT CH8000(5×108 Ω/□)、PEDOT AI4083(3 ×106 Ω/□)、PAni(105 Ω/□)，片電阻值不隨氧電漿的處理時間而改變。特徵接面電阻值以ITO/PEDOT CH8000為最大(8×10-2 Ω-m2)，依次為ITO/CuPc(1×10-2 Ω-m2)、ITO/PEDOT AI4083(2×10-5 Ω-m2)，以ITO/PAni(6×10-6 Ω-m2)為最小。特徵接面電阻值隨氧電漿處理時間增長而降低，其下降在氧電漿處理10 min趨於平緩。