Abstract
本論文內容的主要工作乃在於評估研究以射頻電漿輔助化學氣相沈積法（RF PECVD, Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）鍍製之氫化非晶碳膜在僅寫一次型光碟元件上的應用。 從各種研究報導的結果顯示，氫化非晶碳膜的製程參數（如雷達波功率大小、外加偏壓大小、基板溫度等等）對於薄膜的微結構與性質有很大的影響，我們嘗試使用外加偏壓的製程方式來改良氫化非晶碳膜的性質，並將之應用在僅寫一次型光碟元件的記錄膜材料上。至於實際元件的製作部份，主要分為兩個階段：第一階段首先使用光學、熱學模擬去評估選擇各膜層的材料，並預估其可行性；第二階段則是實際進行多層膜元件的鍍製，然後使用雷射靜態讀寫系統進行測試，並對元件測試後的結果做分析與討論。