Abstract
論文摘要: 論文內容主要在以光電子發射能譜( Photoemission )探討氫原子在Yttrium( 釔 )表面上的反應, 與可能造成金屬性質的改變。 Yttrium sample 以加熱蒸鍍法在超高真空10-9 Torr的環境下製備, 光源的來源是S.R.R.C.的LSGM的光束線的光源為主, 能量範圍為20eV~200eV。我們使用40eV的光能量來觀察Yttrium的Valence band附近的DOS分佈, 使用200eV的光能量來觀察Yttrium 的3d core-level shift。 量測Photoelectrons時的真空在10-11 Torr。 Yttrium在Fermi Energy附近的DOS貢獻主要來自4d electrons, 以及少量的5s電子, 形成一寬約2eV的band。 Yttrium與Hydrogen形成YHx(0≦x≦3)的化合物, H的1s電子主要和Yttrium 的4d形成鍵結, 並在5~6eV附近可以看到一個Hydrogen-induced peak, 從不同能量的能譜來觀察這個peak及Fermi Energy附近2eV的DOS變化, 以與理論的DOS預測和不同光子能量的cross-section相比較。 隨著氫的加入, 還可以看到Ytrrium 的4p與4d core level shift的情況。在附錄中附有氫原子產生器的設計與測試, 此為用來在Yttrium表面上吸附氫原子而設計的, 藉由氫原子的比率提高, 來觀察氫原子對Yttrium表面造成的變化是否快於未解離的氫分子。此外, 原本期望以W(110)用做蒸鍍Yttrium 時的substrate, 由於切鎢棒與拋光( pulish)過程不如預期的順利, 並未將其用於實驗中, 在附錄中紀錄切片與拋光過程的困難與解決方法。