Abstract
本論文主要在觀察以電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)製作的非晶氮化矽膜(a-SiNx:H)中氫蝕刻對其材料特性的影響,並以它作為非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)的閘極介電層並探討其對電性的影響.本實驗是以SiH4,NH3及大量氮氣為反應氣體來製作非晶氮化矽膜, 藉由調變氣體流量及改變電漿功率來控制非晶氮化矽膜中的組成比例及控制膜的沉積速率, 沉積過程包括表面沉積與氫蝕刻反應,氫蝕刻反應隨所加電漿功率而增強. 氫蝕刻反應對特性的影響如沉積速率,蝕刻速率,折射率, N-H鍵濃度作討論.