Abstract
元件積集度愈做愈小情況下，對於製程的要求將更為嚴謹，每個製程步驟對良率提昇都會有關鍵影響。高密度電漿蝕刻在半導體製程上已廣泛應用，雖然電漿蝕刻會有等向性蝕刻，但複雜的物理與化學蝕刻機制，會造成蝕刻結構的變化及傷害。因此，甚多研究致力於此方面的改善，使用混合氣體就是其中一種方式，氯/氬之混合可藉由其沉積部份之機制，達到控制溝渠兩側邊角度，以獲得較佳製程結構。 本實驗旨在研究氯/氬混合氣體電漿對多晶矽進行蝕刻，研究之操作參數包含電漿源功率、偏壓功率、腔體壓力、氯氣流量及氬氣流量，並在蝕刻過程中使用光譜儀及射頻阻抗計進行氯原子與氬原子光譜強度及偏壓電壓與偏壓電流量測觀察其變化，利用田口式實驗設計進行完整分析，並以類神經網路建立各操作參數對蝕刻率與電漿量測之模型。 由實驗結果分析得知：電漿功率與偏壓功率增加時，蝕刻率會明顯上升，氬氣比例增加，會使得蝕刻率下降。電漿量測中，偏壓功率與氯原子光譜強度會明顯影響蝕刻率且為正向的，氬原子光譜強度對蝕刻率影響較為來的小且為反向的。另外，偏壓功率對氯原子與氬原子光譜強度影響不顯著，氯原子光譜強度主效應為電漿功率及壓力，但氬原子部份，除偏壓功率其餘皆會有顯著影響。