Abstract
自從掃描探針顯微術（SPM）發明以來，就一直有人嘗試使用這種工具來改變樣本的表面，甚至是製作微小的結構。我們目前正在研究的「AFM掃描探針微影術」就是其中之一，它能夠以相對較低的儀器成本，達到很高的解析度（線寬100 A∼1000 A）。這種技術很適合一般實驗室製作奈米結構、研發奈米元件，並研究其物理特性。 本實驗室過去已經在n-type Si(110)基板上，成功地以AFM掃描探針寫入的氧化物圖樣作為負光阻，製作出一些結構。目前則是嘗試在Si3N4薄膜上，以導電探針寫入的氧化物圖樣為正光阻，製作微小結構。基本上，我們所使用的樣本是Si3N4/Si(100)薄膜，其厚度祇有25 A。這是為了要避免薄膜應力太大，以及考慮了樣本要導電的問題。實驗的主要步驟是：先使用AFM導電探針在樣本表面（以探針電場所引發的電化學反應）製作氧化物圖樣，然後再使用HF溶液去除氧化物，由於HF溶液對SiOX的蝕刻速率遠大於Si3N4薄膜，原來的圖樣會被保留下來，形成Si3N4蝕刻遮罩。再來就是利用KOH溶液對於Si3N4與Si兩者蝕刻速率的明顯差異，進行選擇性蝕刻（selective etching），最後完成圖樣的轉移（pattern transfer）。本研究之目的即是要檢驗這個構想的可行性，尤其著重於探討實驗過程中所遭遇的問題與現象，並提供一些可行的解決之道。