Abstract
摘 要 靜電力顯微鏡在半導體界已有被應用，最主要的應用為測量表面電位的改變，當元件小到某一尺寸時，很多元件上的微小變化就必須被考慮，例如缺陷、摻雜的擴散程度以及元件的材質，都是必須考慮的因素。但是這些都是定性上的分析，只能用比較的的方式，得出表面電位的改變。 本實驗希望以定量的方式，將束縛在氧化物中的電荷量作定量的分析。本論文最主要探討的是利用非接觸式原子力顯微鏡微影術在雙層及單層氮化矽薄膜上製作氧化物結構，再利用靜電力顯微儀(EFM)量測束縛在氧化物中的電荷量，可以發現當氧化物的體積隨氧化時間增加時，氧化物EFM的1ω訊號就會隨著氧化物體積增大而增強，判斷出束縛在氧化物中的電荷會隨著氧化物體積增加而增加，且判斷出束縛在氧化物中的電荷為負電荷。其次，也改變以往所用的直流偏壓，改為交流偏壓對樣品進行氧化，發現由交流偏壓所氧化的氧化點寬度會比直流偏壓小，且隨著頻率增加而減小。 但是，在電荷量定量上依然無法很準確的分析，所以尚有一些疑點需要證實，則靜電力顯微鏡必可以成為量測表面電性最廣泛的使用工具之一。