Abstract
原子力顯微鏡微影術已為半導體製程上中的微影製程開啟了一個全新的微影技術，同時也提供了另一種可行性的途徑使現代科技逐步朝向奈米世代的趨勢得以發展，因此原子力顯微鏡微影術也在近年來逐漸被人們所矚目並紛紛投下心血與努力研究此技術，而經過近十年來的發展，原子力顯微鏡微影術已逐漸可被掌握，一般我們所製作之氧化光柵與氧化點陣皆可具有高解析度。本論文主要探討利用接觸式原子力顯微鏡微影術在氮化矽薄膜上製作氧化物結構，並研究此氧化物結構之成長機制與行為，同時利用氫氟酸(HF)溶液對氮化矽與氧化矽選擇性蝕刻之特性及氫氧化鉀(KOH)溶液對矽各晶面方向不等向性蝕刻之特性順利製作出凹槽奈米結構，而在此過程中氮化矽即扮演著類似正光阻蝕刻光罩的角色。而在本篇論文最後尚提及利用我們所製作出之奈米結構所作的相關應用。然而，原子力顯微術雖有極大潛力可應用於如奈米電晶體、單電子電晶體、高密度可讀寫數據儲存等等各方面，但原子力顯微術之局部氧化成長機制仍有待繼續探討與研究，若能再加以改善其可靠性與可重覆性方面的問題，則有朝一日原子力顯微鏡微影術必可成為一廣泛使用的工具。