Abstract
本實驗研究方向及動機是為了了解氮化鈦在矽(111)基板上成長的微結構，並調整基板溫度與氮氣分壓濺鍍各種氮化鈦薄膜，試著了解基板溫度與氮氣分壓對於磊晶薄膜會有何種影響。我們使用直流磁控濺鍍的方法，在矽(111)基板上濺鍍氮化鈦薄膜，我將試片分為(A)(B)兩組，(A)組是氮氣分壓為6.0×10-5torr，從100℃到900℃；(B)組是3.0×10-5torr，從100℃到900℃。對濺鍍薄膜做X-ray θ/ 2θ繞射分析、X-ray pole figure 分析、X-ray θscan 半高寬測量、HRTEM 結構分析、歐傑電子分析儀分析、掃描式電子顯微鏡(SEM)分析、原子力顯微鏡(AFM)分析等，對濺鍍膜作各式的觀察分析，以期能徹底了解薄膜的結構與特性。 由於氮化鈦的濺鍍條件十分嚴苛，加上本實驗所使用反應式濺鍍速率緩慢，大約20A/min，更讓製程條件能容忍的範圍減小，經過多次的實驗，找出最佳的氮氣分壓約6.0×10-5torr，而氬氣分壓約為3.0×10-3torr，也就是說當氮氣與氬氣的分壓比為1:50時，在其餘製程參數不變之下，可以得到成分均勻的氮化鈦薄膜。