Abstract
本研究是以直流磁控濺鍍的方式,在矽基板上鍍一層氮化薄膜,經由X光繞 射儀、極圖量測和穿透式電子顯微鏡(TEM)來鑑定其結構,再以二次離子直 譜儀(SIMS)及歐傑電子分析儀(AES)觀察薄膜中元素縱深的分佈,最後以四 點探針量測鍍膜的電阻係數。我們一開始由X光繞射的結果得知，TiN具有 特定的優選晶面平行於矽基板，然後再以極圖的量測來確定薄膜之結晶型 態為片材織構(sheet texture)，最後以理論計算和電子顯微鏡的繞射圖 形相互驗證，決定出氮化鈦織構在矽上的生長方向為TiN[110]//Si[110] 。實驗控制的變因有溫度、基板的偏壓和兩組不同晶向的基板，基板的晶 向對於薄膜的生長方向有重大的影響，當基板為Si(001)時，只有 TiN(002)的繞射峰出現以Si(111)為基板時就只有TiN(111)的繞射峰出現 ，而在溫度500度時平均的電阻係數為最低。