Abstract
SONOS-type快閃記憶體具有快速寫入、低操作電壓、高可靠度、高整合性，但是，在高電壓抹除下會有EBT效應產生，使得元件的抹除速度受到限制。本論文研究即針對利用MoN當金屬電極應用在快閃記憶元件上，觀察其寫入、抹除、電荷保持、耐力以及元件干擾之電特性。根據其實驗的結果可發現利用MoN當金屬電極實現在電容結構和電晶體結構，明顯提升利用TaN電極的抹除速度及可靠度。 對於SONOS-type的快閃記憶體發展而言，由於元件的微縮、快速、省電、高密集度等趨勢走向，所以將針對傳統SONOS做改善，因此，就衍生出利用高介電材料取代當初的氮化矽來當作電荷捕捉層，除此之外，除了利用高介電材料當電荷儲存層，也將針對SONOS形式的快閃記憶體的電荷捕捉層、穿隧氧化層，其針對各項改變來探討是否可以將其元件效率做改善。其中利用多層的高介電材料堆疊出的電荷捕捉層對於元件來說有所改善；利用不同的高介電材料搭配氧化矽所堆疊出的穿隧氧化層元件結構對於電性有所改善。針對這兩部分實驗結果可發現，利用Al2O3/HfO2/Al2O3堆疊電荷捕捉層在整體電性表現上可得到較佳的結果；另外利用薄氧化層上堆疊Al2O3當作穿隧層，可獲得在操做速度以及資料保持力都有不錯效率的結果。