Abstract
本研究成功地利用直流磁控反應性濺鍍法在低基板溫度(150℃至250℃)的條件下，直接形成Mn4N相，而不須任何後續熱處理。製作出來之薄膜為具有 (002)優選方向之序化結構 (ordered structure)。薄膜之磁性呈垂直異方性，垂直膜面方向之矯頑磁力最高可達平行膜面方向之 2.7 倍。本研究以應力及微結構探討垂直異方性之來源。在應力方面，發現拉應力可造成薄膜之垂直異方性。在微觀結構方面，發現薄膜有柱狀結構，而柱狀體之直徑大小是影響垂直膜面方向矯頑磁力大小之重要因素。故柱狀結構造成的形狀異方性亦為薄膜呈垂直異方性之主要原因。然而由應力測量得知，基板溫度愈高則拉伸應力愈大。但垂直膜面之矯頑磁力卻不隨拉伸應力增加而增大。故應力的效應較形狀異方性的效應小。薄膜呈垂直異方性之主要原因為柱狀結構造成的形狀異方性。