Abstract
摘要本文是使用添加純金屬銦的方法降低氮化鎵奈米線製備的溫度，並使用離子佈植的方式佈植鋁進入氮化鎵奈米線中。在實驗中，我們一組使用純金屬鎵作為反應物源，第二組使用純金屬鎵混和純金屬銦作為反應物源，我們比較兩組製備氮化鎵奈米線的方法所製備出來的氮化鎵奈米線其特性以及結構上有無不同，我們鑑定不同方法製備氮化鎵奈米線的晶體結構都是Wurtzite結構，成長方向都是[100]方向，在觀察比較不同溫度之下的氮化鎵奈米線型態以及品質，發現在特定的製備條件下會有最佳的結果。電性量測上因為電極試片的製備不易，在電性資料尚不足以讓我們做比較，只能對於單根氮化鎵奈米線其電性做分析，推論電極試片故障的原因主要是在氮化鎵奈米線與金屬電極接面接觸的問題，造成接面接觸不好而影響到電性的量測。此外我們使用加速器佈植鋁離子進入氮化鎵奈米線中，期待能形成三元奈米線，在穿透式電子顯微鏡中發現氮化鎵奈米線在佈植中已經被破壞了晶體結構，並且在表面形成氧化物，在掃瞄式電子顯微鏡中亦可以觀察到氮化鎵奈米線的尺寸在佈植後有增大的現象。