Abstract
摘 要 本實驗利用反應性直流濺鍍的方式鍍製GeSb9+Ｎ+O記憶膜，觀察氮和氧原子同時摻雜對薄膜熱性、微結構、光性、電性的影響。 在DSC實驗中觀察到氮(或氧)流量固定1 sccm(或2 sccm)下，氧(或氮)流量由0 增加至1 sccm時，結晶活化能從4.12 eV(或5.82 eV)下降至2.90 eV(或2.68 eV)。TEM結果顯示，氮(或氧)流量固定1 sccm(或2 sccm)下，氧(或氮)流量由0 增加至1 sccm時，晶粒尺寸由300~500 nm(或350~500 nm)減少至50~60 nm，而XRD的半高寬估算之垂直於薄膜面的晶粒尺寸，其相對應值為166 Å (或159 Å)減少至136 Å (或129 Å)，亦即GeSb9基合金，從三元變成四元時，異質成核變得更為容易，晶核數目增加，晶粒尺寸受到限制。XRD結果顯示，當氮(或氧)流量固定為1 sccm(或2 sccm)而未摻雜氧(或氮)時晶格常數為4.496 Å，當氧(或氧)流量增加至4 sccm(或3 sccm)時，晶格常數增加至4.508 Å(或4.509 Å)。ESCA分析，顯示薄膜中的Ge-O與Ge-Ｎ的鍵結量會隨氧、氮原子摻雜量而增多。光譜儀的量測顯示非晶相的光能隙隨著氧、氮摻雜量而上升。電性量測方面，氮(或氧)流量固定1 sccm(或2 sccm)下，氧(或氮)流量從0增加到4 sccm(或3 sccm)時，非晶相薄膜電阻係數值由1.46 Ω-cm (或2.63 Ω-cm)增加4.33倍(或1.89倍)；結晶相薄膜電阻係數值由1.18×10-4 Ω-cm (或2.27×10-4 Ω-cm)增加5.21倍(或2.39倍)。