Abstract
摘要以微波電漿輔助化學氣相沈積法 ( MPECVD )成長硼氮共同摻雜鑽石薄膜，研究改變硼及氮流量對場發射性質的影響。當硼流量3SCCM和氮流量3SCCM時，有最佳的場發射特性，最低起始電場4.4 V/μm， 最低的功函數為0.055 eV，且在18.8 V/μm的電場有最大的電流密度為1727.27 μA/cm2的電流密度。鑽石薄膜上鍍一層鐵鈷合金後作退火，改善了鑽石薄膜場發射性質。在拉曼光譜得知鑽石石墨化。且發現在950℃的退火溫度，有長條狀的物質析出，而且鑽石表面被侵蝕的很厲害。