Abstract
由於元件線寬的要求，高密度電漿蝕刻在半導體製程上已廣泛應用，但複雜的物理與化學蝕刻機制，會造成蝕刻結構的變化及傷害。許多研究致力於此方面的改善，使用混合氣體為其中一種方式，在工作氣體中加入氬氣，可改變化學沉積部份之機制，達到控制溝渠側邊角度，以獲得較佳製程結構。本實驗旨在研究氯氣、氬氣混合電漿對模組化之多晶矽進行蝕刻，研究之操作參數包含電漿源功率、偏壓電壓、腔體壓力及氬氣流量百分比，在蝕刻過程中使用阻抗計所量測到之信號控制偏壓電壓為定值，使用光譜儀及射頻阻抗計進行氯原子光譜強度及離子電流之量測，並利用實驗設計進行完整分析。由實驗結果分析得知：電漿功率與偏壓電壓增加時，蝕刻率會明顯上升；氬氣比例增加，會使得蝕刻率下降。偏壓電壓增加時，蝕刻側壁傾斜角度Φ減小；氬氣比例增加，會使得蝕刻側壁傾斜角度Φ增加。