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氯氣電漿光譜量測與分析
Thesis

氯氣電漿光譜量測與分析

謝東彥
Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
2000

Abstract

電漿光譜 氯氣光譜 氯氣
摘 要 Optical Eemission Actinometry(OEA)是一套精確且易於實行的光學量測方法,在欲量測粒子中摻入少量鈍氣(~5%),藉由欲量測粒子及鈍氣所放射出之光強度比,配合公式計算,即可求出電漿中之粒子濃度。 本論文使用OEA法量測氯氣電漿中之氯分子及氯原子濃度,在氯氣電漿中摻入5%的氬氣,量測氯分子譜線:306 nm、氯原子譜線:725.7 nm及氬原子譜線:750.4 nm隨射頻功率變化情形,以計算腔體中的氯分子及原子濃度。於實驗中比較不同操作壓力與不同高度量測位置,粒子放射光強度及濃度變化情形。在不同操作壓力的比較上,粒子放射光強度隨氣壓上升而下降,此因電子溫度隨壓力上升而下降的結果。在粒子濃度的比較上,氯分子及氯原子濃度則是在氣壓高時,濃度越高。氯分子解離為氯原子的比例則為氣壓上升,解離的比例下降,亦是由於電子溫度下降的結果。 在不同高度量測位置的比較上,發現距離陶瓷版較近(4.5 cm)的位置,量測到之粒子放射光強度皆比距離陶瓷版較遠(14 cm)量測到的光強度高,氯分子分解為氯原子比例亦呈現此趨勢,此因愈接近陶瓷版,電漿密度高,有更多的電子產生撞擊激發,而激發出較強的電漿光,解離率也隨之上升。

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