Abstract
本研究主要目的在於了解，氯氧化鋯之純化與結晶過程中，各步驟如水洗、鹽酸萃取，冷卻速率對晶體純度之影響，並進而採討過飽和度和晶體線性成長速率之動力學模式以及晶體之成長特性，以期建立對氯氧化鋯晶體系統及基礎性的瞭解。實驗結果顯示，水洗能除去約６０％的鈉，矽則僅１１％，而使用７５℃之溫水水洗效果，並不十分顯著，使用鹽酸來萃取時，雜質矽會形成棉絮狀粒子阻礙過瀘。此外從溶解度之研究，發現其溶解度隨溫度之增加而增加，並隨鹽酸濃度之增加而減少，在２５％時溶解度最低，其後則隨濃度增加而稍有增加。晶體純度分析顯示所製得晶體純度均在９９•９９％以上，雜質之分配係數由大至小為Ｓｉ，Ａｌ＞Ｔｉ，Ｃａ＞Ｆｅ＞Ｎａ，並由光學及電子顯微鏡觀察晶體之成長及結晶特性； X光繞射分析顯示所得晶相均為正方晶系，不受鹽酸濃度及冷卻速率之影響。在動力學上之研究，發現可用BCF 成長模式來描述，並對成長速率，感應時間和過飽和度及鹽酸濃度提出了次冪經式，以提供一完整之研究。