Abstract
本實驗之目的在研究汞鎘碲三元磊晶半導體P-N 型轉換機構。所採用的熱理方式為閉管式單汞槽私溫熱理。選擇之處理溫度在250 ℃到400 ℃之間。利用長時間熱處理進行全轉換實驗，以求得P-N 型轉換溫界；另利用短時間熱處理作部分轉換實驗，並以階進浸蝕，研究轉換深度及速率。從實驗結果發現，此類半導體之P-N 型轉換溫界並不固定．似乎隨晶片內殘留留授體雜質濃度而有所變化。轉換深度及速率在不同處理溫度下亦有所不同，而在280 ℃?300 ℃之間進行，可獲得較高的轉換深度及速率。為求合理解釋本文實驗結果，及文獻上所報導之各種紛亂結果，我們提出單面汞擴散控制之轉換機構模式，並從此模式及所得之低溫車驗結果，求出汞鎘碲磊晶之P-N 轉換活化能，(EA)為0.67eV。