Abstract
隨著資訊的暴漲，具高速度大容量高品質的光纖通訊系統無疑問地成為未來資訊傳遞方式的主流。而此系統中最重要之關鍵性元件為其光源，即雷射二極體。自1962年問世以來，經過將近三十年的努力，目前雷射二極體以廣泛地應用於雷射印表機(Laser Printer)、光纖通訊(Optic Fiber Communication)、光碟機(Optical Disc)……等。 在本論文中，主要為製作利用金屬氧化化學氣相沈積系統(MOCVD)成長之波長1.55微米的InGaAsP/InP雷射二極體，並對其作一些量測分析。在此已成功地製作出三種不同結構之雷射二極體，即寬面積雷射、脊狀波導雷射及覆蓋式脊狀波導雷射。從寬面積雷射中，已得知本實驗之磊晶結構所製成之雷射二極體之內部量子注入效率hi為72％，內部損耗約為18.3㎝-1，穿透電流密度Jtr約為56.2A/㎝2，基本模態增益G0約為1279.6㎝-1，GwG0約為60㎝-1。而在脊狀波導雷射中，得到在20℃時其臨界電流約為15.846mA，光電轉換效率約為0.219W/A。又其臨界電流及微分量子效率之特徵溫度分別為65K與411K。而其水平及垂直之遠場圖案散射角分別為28及42度。其本質頻寬響應則約為10.2GHz。在覆蓋式脊狀波導雷射二極體中，則得到其臨界電流於20℃時已下降至8.89mA左右。 在此並利用脊狀波導雷射做端面鍍膜，分別於其端面成長兩組不同折射率之鍍膜，即AR(0.02)/HR(0.98)與HR(0.77)/HR(0.98)，並將其與未鍍膜之雷射二極體做一比較。在AR(0.02)/HR(0.98)鍍膜下，其臨界電流在20℃上升至23.769mA，不過其光電轉換效率也上升至0.458W/A，而其臨界電流及微分量子效率之特徵溫度分別為50K與545K。在HR(0.77)/HR(0.98)鍍膜下，其臨界電流在20℃下降至11.135mA，不過其光電轉換效率也下降至0.142W/A，而其臨界電流及微分量子效率之特徵溫度分別為70K與268K。