Abstract
在能源逐漸短缺的情形下, 太陽電池可說是一種永續且低污的新能源 .I-III-VI2 族是一極具有潛力的太陽電池薄膜材料, 它具有適當的能隙. 高的光吸收係數及穩定的轉換效率性質. CuInSe2 是目前較為主要的 I-III-VI2 族太陽電池材料, 然其能量轉換效率仍受限於低的開路電壓,要解決這個問題, 必須增大其能隙,CuIn(Se,S)2具有較大的能隙且能隙可由硫的含量調變.利用濺鍍法沉積薄膜, 除了具有良好的均勻度及易控制的優點之外,最大的好處是其可大面積的成長. 本實驗即是利用射頻磁控濺鍍法成長,且通入硫化氫氣體作化學反應, 以期能得到CuIn(Se,S)2 之薄膜. XRD 之分析可看出成長的CuIn(Se,S)2具有(112)優向取勢,且具有 chalcopyrite結構. SEM結果發現表面之晶粒大小隨著溫度及硫化氫的流量增加而增大; 在成分分析方面, AES的結果發現薄膜有均勻的組成且硫之含量隨著成長時硫化氫的流量而改變. 利用近紅外光的吸收率量測可得出其能隙在 1.1至 1.5ev之間, 極適合於太陽電池的應用.本文分四章: 第一章前言, 第二章則是實驗過程及分析方法, 第三章是對成長的薄膜作是對成長的薄膜作分析及討論. 第四章結論.