Abstract
由於矽離子佈植到底會產生那些深態能階，直到目前為止，仍不清楚，因此，本篇論文將利用高純度液相磊晶層來探討其可能形成的原因。成長高純度液相磊晶層以及矽離子佈植與退火處理作一系列的探討。傳統磊晶方式會和空氣接觸，故其成長之液相磊晶層的載子濃度較高，改進磊晶方式的過程中並不與空氣接觸，因而使得液相磊晶層的載子濃度可降低至１?５E １５（cmE －３），漂移率（Mobility）可達到６０００（cmE ２╱V－S），且無任何深態能階存在。採用改進砳晶方式成長之高純度液相磊晶層於矽離子佈植後，則作快速退火處理（R-apid Thermal Annealing）與傳統退火處理（Furnace Annealing） ，比較這兩種退火方式的結果發現，快速退火處理的晶片於DLTS的測量中僅發現Ec－０．５２eV電子陷阱，可經７００℃以上之退火處理予以消除。傳統退火處理的晶片裡則發現有EL２原因，發現Ec－０．５２eV之深態能階的形成與Ga Outdiffusion 。深究其有關，高溫退火時，佈植之矽佔住Ga位置為快速退火處理時，Ec－０．５２eV消除之主要原因。而長時間的退火處理，則有助於EL２的形成，與佈植的矽無關。但為As異位所造成。由Photoluminescence 與蕭基二極體之特性分析得知，矽離子佈植後的晶片經不同熱處理後，低溫快速退火處理的晶片中之缺陷為電中性的缺陷（Neutral defect），而不影響到著基二極體之電氣特性，因此，在積體電路製作時，可加以優化使用。