Abstract
隨著光纖通訊系統的發展，長波長光電元件已是未來進步的方向。１．３微米（或１．５微米）頻道是兩個低色散低耗失的光纖頻域（如圖一），最適合矽晶光纖通訊系統之使用。汞鎘銻是種被廣泛研究的II－IV族光電材料，它的能隙可調範圍從－０．３到１．６電子伏特，而它的特性使得它在光纖１．３微米頻道中表現不凡，因而成為光偵測器的重要考慮材料。本論文的工作由系統建造開始，發展一套非封閉式液相磊晶成長技術來生長汞鎘銻，不選擇補償而以動態平衡來成長。長出的砳晶層以一系列的量測來分析，並嘗試做出好的歐姆接點。我們的工作是屬於相當早期的，可以提出以下四點結論：１．以銻做溶劑，鎘化銻做基板沒有補償的非封閉式液相磊晶技術，已成功長出×０．７５的光亮汞鎘銻磊晶層。２．在磊晶成長尾段應用一點回融可使表面結構更加平整。３．應用先均質化好了的溶液配料並加以磨碎，可使溶液均勻性提高，藉以獲得良好的再現率。４．基板品質的好壞對磊晶層品質有決定性的影響。而一點小小的晶格不稱就可產生相當高密度的差排。