Abstract
本實驗係以液相磊晶法成長磷化鎵於矽基板上，研究此異相磊晶系統的結構、電性以及光學性質。實驗中採用平衡降溫成長法，在不同晶片方向。不同成長溫度、不同降溫速度以及不同降溫範圍觀察表面型態的變化。經過量測磷化鎵於鉛中的溶解度，才決定出磊晶成長過程。本實驗成功地以鉛為溶劑成長磷化鎵於矽基板上。實驗結果運用了X 光繞射，以及電子顯微鏡做結構分析，發現在此系統界面有互相混合情形。電性分析則用電容─電壓方法量測載子濃度，結果大約為每立方公分１０^19次方。另外運用光激發照射量測光學性質，因為載子濃度太高而量測不到結果。磊晶成長機構亦由實驗結果中間確得知。