Abstract
一、目的：由於磷化鎵與矽的晶格常數相當接近，因此在近二十年之中，有許多學者對於在矽基底上，成長磷化鎵的磊晶層，利用各種不同的成長方法，做了各種不同的研究，進行二者異質磊晶成長可行性的分析。本實驗也是針對此一目標，利用液相磊晶法，來研究磷化鎵在矽基板成長磊晶的一些現象。二、方法：本實驗中，磷化鎵在成長溫度（850 ℃）下被溶於錫溶劑中，使其成長含磷化鎵之飽和溶液。而後，溶液被可滑動之石墨船移動至與矽基板接觸，在一定速率降溫的情形下，磷化鎵則會析出於矽基板之上。三、結果：?在不同方向的矽基板上成長之磷化鎵，具有不同的表面型態，通常磊晶層表面不甚平整，而這些不平整的表面常致使錫溶液殘留其上。?在降溫20℃後，成長之磷化鎵，厚約10um而不具裂縫。?發現磷化鎵在（111 ）面凝核，較（110）或（100）面上慢。?磊晶層之載子濃度為10□□/cm□。