Abstract
在此篇論文中，我們探討四元化合物半導體InGaAsP 在InP 基片上之磊晶成長與分析技術，同時也討論背面照光之Npn－ 型態InP╱InGaAsP異質接合面光電晶體的製作及元件特性。我們以液相磊晶法（LPE） ，成長出對應於１．５５微米及１．３微米並攙雜鋅或錫之InGaAsP╱InP多層膜結構，並使用霍氏紅外光譜儀（FTIR），X 光繞射儀（XRD），光學顯微鏡（OM），掃描式電子顯微鏡（SEM） 及電子能譜儀（AES） 來分析磊晶層之成份組成及品質。Npn－ 型態之Inp╱InGaAsP╱InGaAsP 多層異質結構被用來製作異質接合面光電晶體。其射極與基極之攙雜濃度，經以射基接合面二極體之電容－電壓測量值計算後，分別為每立方公分１E １８個及５E １８個。我們所製作的異質接合面光電晶體之功能為：崩潰電壓約為２伏特左右；低照射下之集極補償電壓分佈於０至０．４伏特之間；頻譜響應之極值區出現在１．５５微米波長附近；大面積（約０．０４平方毫米）之異質接合面光電晶體之速率響應比１微秒快。白光照射下之光電效應已被觀察到並討論之。而理論所預測的同質接合面與異質接合面光電晶體間之一些特性差異也在我們實驗中觀察到。