Abstract
本研究係以真空蒸鍍聚合法（Vapor Deposition Polymeriza- tion, VDP）製備深奈米級聚亞醯胺超薄膜，並探求無針孔薄膜之薄度極限。共聚合之二酸酐及二胺單體分別為，hexafluoroiopropylidene- 2, 2-biphthalic anhydride（6FDA）及4-4’-oxydianiline（ODA），藉由單體沉積速率的控制，製備出單體化學計量比為1之薄膜。並利用霍式轉換紅外光譜儀（FTIR）、X光繞射分析儀（XRD）、場發射掃描式電子顯微鏡（SEM）及掃描式原子探測顯微鏡（SPM），鑑定超薄膜之結構。改變製程條件，如：導電基材及單體沉積速率的選用，和鋁電極的熱處理，均可有效的影響薄膜之無針孔良率（Pin-hole Free Yield）。此外，薄膜之介電特性，包括介電強度及漏電流密度分別被量測及探討。至目前，薄膜厚度在90 A以上，可製備出百分之百無針孔之薄膜；膜厚為70 A時，無針孔良率為80%； 30 A時，無針孔良率為36%；在最低膜厚25 A時，良率有7%。