Abstract
在本篇論文的研究中，以電子束微影系統為主軸，搭配所謂的〝匹配微影 〞技術來達成(0.25mm)2的接觸窗形成，再以〝自我對準矽化法〞完成低 電阻係數的C54相二矽化鈦，並以TiN/Al-Si-Cu/TiW/TiSi2/P+-Si的系統 ，完成交叉橋式凱文 接觸電阻測試結構，並量測其電阻值，及做高電流 燒試並觀察其變化。 在高電流燒試過程中，我們發現接觸電阻值隨著電流方向而有不同的變化 ，其可能原因為焦耳熱效應及電子遷移效應共同表現出來的結果。
- Title
- 深次微米 TiW/TiSi2 接觸之製作及其可靠度分析
- Translated title
- 深次微米 TiW/TiSi2 接觸之製作及其可靠度分析
- Creators
- 陳立仁
- Contributors
- 徐永珍 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電機工程學系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 電機工程學系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis