Abstract
摘要 從1970年開始，許多的研究報告開始專注於短通道元件的短通道效應，並且對於短通道效應提出了許多不同的數學公式及物理解釋，在數學公式或是模型的建立方面，對於短通道元件的邊界條件該如何定義，一直是一個難以突破的問題，特別是通道空乏區的寬度，在找不出其他參數可以替代的情況下，只好一直沿用長通道元件的通道空乏區寬度做為邊界條件。可是，在通道長度進入深次微米的範圍之後，此項假設已經有很大的誤差，不僅是真正的通道空乏區寬度比長通道空乏區的寬度大，而且，如果仍然以長通道空乏區寬度為邊界條件，通過此邊界的垂直方向電場強度也不為零，雖然在靠近通道中央的地方，通過長通道空乏區的垂直方向電場強度比較接近原先的假設，可是在接近汲極以及源極的地方，通過長通道空乏區的垂直方向電場強度與原先的長通道元件假設就有很大的誤差了。 在本論文中，我們在觀察了通道空乏區內部的電場變化情形之後，提出了一個新的參數W以及空乏區內等電場邊界條件的想法，並且用此參數W取代了其他研究報告一直沿用多年的長通道元件空乏區寬度Wdep。由於此新參數W與空乏區內等電場邊界條件觀念的提出，我們可以以不同的觀點去看短通道元件，此參數W即使在通道長度小於0.3um仍然適用。