Abstract
由於銅金屬具有低電阻及良好的電子遷移阻抗性與應力誘導遷移性，所以用銅金屬作為導線的元件可以承受更密集的電路排列，因而大幅減少所需的金屬層數目，進而降低生產成本和提昇訊號傳遞速度，所以在IC 產業中已經漸漸取代鎢及鋁的金屬導線製程。基於此我們合成了一系列的混合型四配位二價銅錯合物來作為銅金屬化學氣相沉積 (CVD) 的前驅物。此系列的四配位二價銅錯合物是混合四配位含β- 戊二酮 (β-diketonate) 及醇胺類(aminoalcoholate) 配位基的二價銅金屬錯合物，β-戊二酮是用六氟戊二酮，藉由改變醇胺類配位基上的醇官能團及胺官能團上的取代基，進一步來探討錯合物的一些物理及化學的性質並用來進行Cu CVD 實驗。以此系列的化合物 作為CVD 前驅物時可以在載流氣體為氬氣，溫度區間在300 ~ 375℃時於Si(100)基版上鍍出銅膜。所有鍍製出來的薄膜皆用掃描式電子顯微鏡(SEM) 、四點探針 (four-point probe) 、X-ray 粉末繞射 (XRD) 及電子能譜儀(ESCA) 等材料分析儀器來進行分析和鑑定；而由結果我們得知薄膜純度最高可達96%以上，而電阻係數為6.7 µΩ-cm 已接近銅塊材的1.67 µΩ-cm。