Abstract
本實驗將C粉與SiO2粉等莫耳混合後置於三段均溫管式爐中加熱，可以獨立調變反應與沉積溫度參數，並通入Ar + 10 ％ H2的催化氣體，以成長奈米線。結果顯示1245-1328 ℃反應、886-1065 ℃沉積，可在氧化鋁或矽基板表面成功成長出奈米線。相較於矽基板，氧化鋁基板上的奈米線數量較多、分佈較均勻、尺寸與型態也較一致。另外，氧化鋁基板背也有奈米線成長。沉積溫度越高，成長奈米線之線徑越細，直徑可從30∼70 nm；而奈米線長度可達7 □m以上。反應溫度、沉積位置、碳粉含量也都會對奈米線成長有所影響。經由SEM觀察得知，適當製程參數(如1245 ℃反應、1000 ℃沉積)所得奈米線相當平直獨立，但亦有黏結成塊情形；奈米線端點有些有圓形催化顆粒，有些則沒有。TEM分析得知，奈米線均質平滑，為SiO1.5非晶結構；奈米線端點圓形催化顆粒含有大量鐵元素。奈米線的成長機制是以奈米鐵顆粒作為催化劑的VS與VLS機制同時出現。PL量測結果發現此種SiO1.5奈米線在光譜圖中445 nm (藍光) 發現有峰值，可望在發光元件上有發展的潛力。