Abstract
本實驗係使用溶凝膠法(Sol-Gel)及旋鍍法製作添加 La，Mn，Nb之PZT薄 膜。而為改善PZT與基板間的介面問題，還使用射頻磁控濺鍍法製作一 LaNiO3薄膜當作PZT與白金下電極間的緩衝層。還使用用LNO/Pt/Ti/SiO2/ Si基板旋鍍出來之薄膜，經熱處理後，我們作了一些分析來探討添加劑的 效應。在LNO基板上製作加La的PZT薄膜會有介電常數降低，電流密度上昇 的異常現象。而Ec、Pr則會下降，電滯曲線 (hysteresis loop)變的較細 長。而添加Mn則會有電流密度下降、介電常數上昇且疲勞特性也不會劣化 的奇異現象，電滯曲線則變得較硬性(hard)，使得Ec、Pr微昇。而針對以 上異常現象我們做了實驗來探討生成原因，最後我們發現添加La之反常現 象是LaNiO3基板中La擴散入薄膜中的量已超過使介電常數上昇、電流密度 下降的臨界值所造成的。而根據此一結果我們可對添加劑所造成效應作一 修正。即除了添加劑的效應外，還要再考慮LaNiO3基板的擴散問題。所以 在添加Nb時也應要考慮此一現象，加入0.5mole﹪Nb時會使介電常數上昇 、Ec、Pr降低，這些都符合Nb添加的效應，但電流密度卻上昇我們推論可 能係La擴散的影響所造成的。