Abstract
TiO 陶瓷經適當地添加Nb及Pb后, 可使其具有優良的變阻特性。最佳的α值接近10。本論文將就各種不同氧化物添加劑, 包括MnO、CoO、CuO、V O 、Nb O 、PbO、BaO,對TiO 陶瓷變阻特性的影響, 作一探討。採用介電性質測試, 阻抗分析,C–V 測試,I–V 測試, 來直接或間接證實各種添加劑對晶粒的施體濃度, 晶粒電阻率, 晶界陷子密度與晶界能障的影響。另外由微結構的觀察,X光繞射的鑑定, 可以得知微結構與析出物對變阻特性的影響。在燒結方面, 選用1250℃與1350℃兩種溫度來觀察燒結溫度對變阻特性的影響。由缺陷化學, 偏析理論及各種電性測試發現,Co,Mn,CuV的添加主要使得晶粒內的施體濃度下降。所以非線性并不顯著。而適當的Ba或Pb添加, 會使得晶界的陷子密度增加, 能障也提高, 表現出較佳的變阻特性。