Abstract
在微波介電材料中，Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 (簡稱BMT)是具有最高Q值(或Q*f值)者。由文獻中發現BMT在ABO3結構之B-site呈1：2型序化結構與純相之微結構、較細之晶粒狀況下有高的Q*f值。本研究以一階段法製作，配合微量添加之MgO、Al2O3、BaZrO3 及ZrO2，藉以提昇BMT之微波特性。在純的BMT製作中發現在1200 ℃/4 hr之煆燒溫度可得純相粉末；在1550℃/4 hr之燒結溫度可得最佳之Q*f值(~45,000)；於1600℃/4 hr之微結構上發現已有少量之二次相形成，此為BMT在更高燒結溫度下Q*f值下降之主因。在氧化鎂之微量添加部份，微量添加氧化鎂主要在降低二次相之形成。由X光繞射與微結構發現二次相明顯減少，再由Q*f值(~64,000)發現添加微量氧化鎂明顯提昇BMT之微波特性。在氧化鋁之微量添加部份，微量添加氧化鋁有助於減少二次相形成，避免因Mg損失而形成的二次相，藉以提昇Q*f值(~76,000)；但過量添加氧化鋁則有助於晶粒成長與二次相之形成。在鋯酸鋇之微量添加部份，微量添加鋯酸鋇能促進BMT的形成，提昇BMT的Q*f值(~75,000)，微量的添加量多，效果更好；而ZrO2添加，則不如預先形成的BaZrO3那樣好，可提昇Qxf值。由結果可以發現高溫易有二次相，而部份二次相會提昇Qxf值，部份則會損害Qxf值，但B-site的補償的確可使得純相BMT較易形成，而有不錯Qxf值。