Abstract
硒化鋅系列元件的發展瓶頸主要在於單晶品質的提升，文中對於以物理氣相傳輸法所生長出來的硒化鋅晶體，比較了理想與實際傳輸速率之差異，並發現原料的純度、製程、管內壓力等皆充份影響著長晶速率的進行。 鎘的添加可改變其晶格常數、發光波長及晶體結構。我們從蝕坑密度方面比較了三種可蝕刻硒化鋅的溶液，發現到KOH能將最多的缺陷位置表現出來，為蝕刻溶液的優良選擇。當硒化鋅從500℃高溫空冷時的氧化層深度約0.2mm。均勻組成的Zn0.9Cd0.1Se之晶格常數為5.7100A。
- Title
- 添加鎘對於PVT法成長硒化鋅單晶之影響
- Translated title
- 添加鎘對於PVT法成長硒化鋅單晶之影響
- Creators
- 江志立 (Author)
- Contributors
- 張一熙黃瑜 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English