Abstract
本論文研究主要係在清大9SDH加速器上架設溝道效應分析技術專屬的射束線，並選用入射粒子為4 MeV的碳離子來分析鍺(Ge)離子植入矽(Si)基材的輻射損傷以及使用快速退火爐退火後的情形。分析不同劑量的鍺離子植入矽基材，可以看出當佈植劑量達到8×1014 ions/cm2，可以對矽基材造成完全非晶化。當佈植以劑量1.5×1015 ions/cm2的鍺離子於矽基材後，並經由快速退火爐進行不同的退火溫度時發現:當退火溫度在650°C以上，矽基材可以恢復到單晶形態;而當退火溫度在500°C~600°C時，矽基材可能形成多晶，而且鍺原子有擴散到靶材表面的現象。