Abstract
本實驗主要目的是觀察經由離子佈植步驟製作的集納二集體的崩潰電壓受溫度影響的情形。在室溫下所製成的二極體, 其崩潰電壓在3 優特到9 伏特之間。溫度變化引起崩潰電壓的遷移有二種情形。其崩潰電壓的溫度係數分別是(1) 當崩潰電壓約小於4.4 伏特時是負的。(2) 當其大於6.5 伏特時是正的。(3) 當其介於兩者之間時, 電流小時溫度係數是負的, 電流變大時, 溫度係數慢慢變為正的了。這些行為是由於接頭崩潰時, 不同的物理結構, 造成不同的特性。由實驗結果可發現在範圍(1) 內, 崩潰是由於集納效應, 在範圍(2) 內崩潰是由於雪崩效應造成, 而在範圍(3) 時, 電流小時, 主要是由於集納效應, 而電流變大時雪崩效應就超過集納效應了, 本文並提出。崩潰電壓和溫度係數的理論計算值。