Abstract
本實驗以射頻磁控濺鍍法成長HgCdTe紅外線偵測器之披覆層CdTe/ CdTeOx雙層膜，前期以測試CdTeOx薄膜之鍍膜參數為主，後期以元件之製作為主，並探討不同製程條件與不同疊層對元件特性的影響。為了與前期計畫有良好的銜接，我們以MIM之結構測試CdTeOx薄膜之最佳鍍膜條件，以Ar/O2/N2=15/4/1之最佳氣體流量比，改變鍍膜功率與工作壓力鍍製CdTe(固定鍍膜參數)/CdTeOx雙層膜，量測其I-V曲線，得到80W、4mtorr之最佳鍍膜參數。在元件之製作方面，我們主要改變Contact Hole之蝕刻方法，嘗試以溼式蝕刻、乾式蝕刻與兩者並用的方法進行薄膜之蝕刻，由I-V曲線量測的結果顯示『溼式蝕刻將會導致元件特性的劣化』，這主要是因為溼式蝕刻的速率太快，若控制不恰當，將會造成基板PN接面的損害。另外，經由C-V曲線的量測，我們可以發現到：實驗測量之電容值比計算值來的小，藉由量測基板p-p區域之I-V曲線，我們可以發現到我們在做乾式蝕刻(RIE)時，在接點處形成一個小的PN接面，在量測電容值時，與氧化物電容(COx)形成串連電容效應，才會使得我們量測出的電容值比計算值來的小。