Abstract
本實驗分成兩部分，第一部份探討銅膜在有或無擴散阻礙層(TaN)時，對其應力行為的影響，所使用的應力量測儀器為彎柄儀(Bending Beam Apparatus)。此部份之銅膜與擴散阻礙層均以濺鍍法(Sputtering)製備而成。結果發現，銅膜在無擴散阻礙層且於真空中進行熱循環處理時，其應力行為會因銅矽間的相互擴散並產生介面化合物，而不同於在有擴散阻礙層時銅膜的應力表現。 第二部分則分別以濺鍍法(Sputtering)與化學氣相沉積法(CVD)於TaN/Si結構鍍上一層銅膜，再以彎柄儀技術與三層應力公式分析兩種製程方式所製備的銅膜在Cu/TaN/Si三層結構中的應力行為差異。結果發現，在第一次熱循環升溫過程的低溫段，其應力行為有明顯的不同，以及在經過不同次數之熱循環處理後的室溫殘留應力變化趨勢，也有顯著的差異。