Abstract
本篇論文第一章導論提到為何會有分子元件的構想及分子如何附著在電極上，描敘決定分子的傳導機制。第二章理論模型，用我們實驗室在2006年所發的APL論文中談到的模型，當然這模型並不是我們所想的而是參考現有的半導體理論還有別人的模型做小部份的修改而來的，用些來解釋所看到的Id-Vd圖與Id-Vg圖。第三章是量測數據分析與討論，本章分為很多個小節，3-1判斷元件好壞主是討論所做出的元件，如何去很快速的判斷什麼是好的元件，什麼是不好的元件。3-2 分子的電性分析主要是討論跟溫度有關的傳導機制，像跳躍傳導(hopping conduction)，與熱游離傳導方式(thermionic emission)進而去求得位障(barrier height)Φ，與溫度無關的高壓的傳導機制是F.N.穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling)。3-3與3-4主要討論不同Vg所造成的(barrier height)Φ希望能去解釋所看到的I-V特徵曲線。3-5主要討論所做的元件Id對Vg微分所看到的能階，對不同溫度或是對不同Vd會有什麼樣的變化。第四章是結論，主要將先前看到的現象做總結，位障(barrier height)Φ並不能解釋Vd<0V的Id電流是比Vd> 0V的Id電流來的大，主要可能是分子本有的行為，還有模型上可以改進的地方。第五章實驗上的改量希望能讓元件的良率有所變善。第六章結論與未來展望。