Abstract
一、目的：利用無電鍍技術，研究錸與鎳在矽單晶（111 ）面上之磊晶矽化物成長。二、方法：以特殊的聯安槽產生錸和鎳之自身催化澱積而在矽基板上形成金屬薄膜，將此薄膜試片分別於氮爐和超高真空爐內做兩段式退火。除此，快速退火亦用以探討矽化物之形成。反應形成之矽化物以穿透式電子顯微鏡分析，其薄膜電阻值於室溫下以F.P.P.量測之。三、結論：1.無電鍍錸之鍍層厚度與時間呈線性關係。2.於1000℃兩段式退火只有NiSi□單相在矽基板上磊晶成長，其差排間距大約為800A。3.於1000℃兩段式退火，錸之矽化物有二相成功地在矽基板上磊晶成長（ReSi與ReSi□）。ReSi□與Si界面間之差距大約為70A 。4.薄板電阻值與退火溫度有關。