Abstract
無電鍍貴金屬釕、鋨槽，首度被開發並成功地將釕、鋨膜，施鍍於（１１１）矽晶片上，經過各種熱處理長成磊晶釘、鋨矽化物。利用電化學分析的方法（Ｃｙｃｌｉｎｇ Ｖｏｔａｍｍｅｔｒｙ）研究具高度複雜性的鋨鍍槽，探討鋨在鹼性液中還原過程為＋８，＋６，＋４，＋３，＋２，０而且成功地在氨水添加液中發現＋５鋨，為首度直接用電化學的方法證明＋５鋨存在於鹼性液中。並進一步決定鋨離子與錯合劑之最佳莫耳數比為２︰１，在此比例下，可維持鍍槽的穩定度及達最佳鍍速。使用穿透式電子顯微鏡（ＴＥＭ）結合Ｘ光能譜分析儀（ＥＤＡＸ）直接觀察無電鍍釕、鋨膜的成長過程及其微結構，發現無電鍍膜是非晶質結構，對不同階段的膜成長作詩論，並提出可能之無電鍍膜成長機構。經由兩段式真空爐退火可長成磊晶釕矽化物，由於含磷雜質，因此在１０００℃高溫退火１小時後，仍有二相Ｒｕ2Ｓｉ3，ＲｕＳｉ，Ｒｕ2Ｓｉ 共存。鋨膜由於具高溫易氧化之特性，需在兩段式還原氣氛爐下，才可長成磊晶鋨矽化物（Ｏs Ｓｉ2 ）。另外，對釕、鋨金屬矽化物的各種不同重要性質（如電流－電壓特性、片電阻、微硬度）作測量並與微結構之相關性作探討，可提供並作為實用性之評估。