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無電鍍鈷鎳合金系磁性薄膜研究
Thesis

無電鍍鈷鎳合金系磁性薄膜研究

黎傳樹
Masters, National Tsing Hua University
1985

Abstract

無電鍍法鎳鈷合金磁性薄膜檸檬酸根錯合劑
目的:研究以無電鍍法製成之磁性鍍膜諸性質,以及有關的鍍槽基本特性。方法:以聯胺為還原劑,將金離子的鎳鈷還原息鎳鈷合金共鍍在銅基材上。以原子放射光譜分析鍍層合金成份。以穿透式電子顯微鏡觀察鍍層成核及成長過程,以分析在不同條件下鍍層的微結構。結論:1.檸檬酸根是最佳的金屬離子錯合劑。2.溫度、pH值、錯合劑濃度…等皆會影響鍍槽的鍍速,以及安定性,其中pH值的影響最大。3.鍍層的磁性質,亦受到溫度pH值、錯合劑濃度、以及鍍層中鎳、鈷含量的比所影響。其中以鎳鈷合金成份含量的比影響最巨。而上述的溫度、pH值…又影響鍍層成份比。4.在銅上成核不均勻,且在初期有高速的側向成長。在半導體材料一矽上成核且很均勻。5.低溫下鍍出的鍍層為刀晶形,且至少有三種相。高溫下鍍出的鍍層則為標準的非晶形結構。6.加錳離子至鍍槽會使鍍層中鎳原子比例昇高。

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