Abstract
本實驗利用30?100keV質子照射CaF2Dy(TLD-200)、CaF2:Tm(TLD-300)，觀察其熱發光反應。實驗結果發現，真空回火（沒有H2O(g)擴散進入TLD表層）與空氣中回火之樣品，對100keV質子之熱發光反應，除了真空回火樣品之的高溫部分(>300℃)有較大的熱發光輸出之外，其輝光曲線大致相同，而這原因推測是真空回火裝置傳熱效果不佳，TLD未達其最佳回火狀態，因而造成之干擾性熱發光。 TLD-200、TLD-300對30?100keV質子之反應，其總熱發光輸出隨質子能量增加（LET增加）而減少，此現象符合徑跡結構理論之推測(track structure theory, TST)。對於TLD-200、TLD-300材料的重覆照射相等劑量的100keV質子，發現TLD-200其總熱發光量漸減，表示TLD表面遭受破壞的情形，其輝光曲線中各輝光峰亦呈漸漸下降的趨勢，表示破壞情形是整體性的，並不特別針對某一光峰之陷阱或復合中心。而TLD-300的情形則表現出總熱發光量漸增的情形，其輝光曲線之第五輝光峰(P5)成飽和，而第二及第三輝光峰(P2、P3)則呈漸增的情形，這種深陷阱（高溫輝光峰）飽和和淺陷阱（低溫輝光峰）敏化現象符合深陷阱競爭模型(deep trap competition model)之推論。 另外，在本實驗中作為偵測器使用之電子倍增器(channeltron)，由於真空腔中質子經碳膜散射後產生之H+、H0、e-，再經電場作用後產生許多未知的反應，進而產生一些未知的正離子及電子，這些干擾的電荷過於複雜，使得利用法拉第杯(Faraday cup)及電子倍增器量測質子之絕對數量的方法並不可行。