Abstract
本篇探討豌豆（Pisum sativum ）葉綠體的性長溫度對光合作用中電子傳遞鏈（wel-ectron transport chain））和光捕獲單元（Light-harvesting chlorohyll a/b p-rotein complex）的影響。豌豆在日╱夜生長溫度是２０╱１５C ，３５╱３０C （高溫組）或１０╱５C （低溫組）分別用水耕栽培。這大約是自然季節的溫度範圍。在不同溫度下測量豌豆的整個電子傳遞鏈（Whole chain electron transport）速率，發現豌豆電子傳遞鏈已有部份地適應於高溫生長環境。比較３５╱３０C 和２０╱１５C 生長的豌豆，３５╱３０C 生長的豌豆整個電子傳遞鏈在２０C 測量時，被抑制４６％，兩個部位各被抑制了一半，一個部位在光系統Ⅱ（Photosystem Ⅱ）而另一部位在光系統的第二個電子接受者和DCIP供給電子給光系統Ⅰ（Photosystem Ⅰ）的位置之間。而由室溫螢光測量發現，光系統Ⅱ初級的電子接受者量上減少子６０％，光系統Ⅱ反應中心（Reaction center ）光子捕獲的效率增加５０％。而由７７ 螢光測量，光系統Ⅱ光捕獲單元並沒有受到高溫環境的影響。我認為當豌豆在高溫環境下生長，因為光系統Ⅱ反應中心的遭到破壞，使得每個光系統Ⅱ反應中心的平圴葉綠素天線大小（Chlorophyll antenna size）增加，所以光系統Ⅱ光子捕獲的速率增加。這也許是豌豆適應於高溫生長環境的方法，而在光系統Ⅰ方面，光系統Ⅰ的電子傳遞沒有受到高溫環境的影響。比較１０╱５C 和２０╱１５C 生長的豌豆，１０╱５C 生長的豌豆整個電子傳遞鏈，光系統Ⅱ和光系統Ⅰ的電子傳遞速率並沒有受到低溫環境的影響豌豆對低溫（１０╱５C ）生長環境有足夠的適應能力。